在當今快速發展的科技時代,半導體材料的創新和應用正成為推動全球電子產業發展的關鍵力量。在第三代半導體材料領域,氮化鎵(GaN)因其卓越的電子特性和廣泛的應用前景,正受到業界的關注。近期,山東省的濟南和臨沂兩地,在氮化鎵襯底方面取得了新進展。
濟南:新增一個氮化鎵項目
據濟南日報消息,10月17日下午,在濟南市半導體、空天信息產業高價值技術成果本市轉化對接會上,山東晶鎵半導體有限公司(下文簡稱“晶鎵半導體”)與濟南晶谷研究院簽約,入駐新一代半導體公共服務平臺項目。
source:濟南晶谷研究院
據悉,晶鎵半導體將依托山東大學晶體材料國家重點實驗室、新一代半導體材料研究院研發的最新GaN單晶生長與襯底加工技術成果,開展第三代半導體材料氮化鎵(GaN)單晶襯底的研發、生產和銷售。
資料顯示,濟南晶谷研究院是濟南市政府聯合山東大學發起成立的新型研發機構,旨在面向國家所需和產業前沿,集科研、教育、企事業等功能于一身。該機構總投入10億元,于2023年7月正式揭牌。
據悉,濟南晶谷研究院成立以來,先后引進2家產業鏈企業,分別為中晶芯源、晶啟光電,孵化2家小微企業,分別為山東晶鎵半導體和山東一芯智能科技,并成立研究院全資子公司濟南晶谷科技有限公司。
臨沂:加快氮化鎵新材料項目建設
據中交雄安建設有限公司官微披露,近日,山東臨沂市委書記任剛到高新廠房項目調研,視察了一個氮化鎵新材料項目。
資料顯示,該項目總投資5億,占地304畝,主要建設廠房(含超凈間)、行政中心、技術研發中心等,新上50條HVRE單晶生產線、晶片檢測線,10條晶片切割加工生產線,10條研磨、清洗封裝工藝設備生產線,10套外延片加工MOCVD設備生產線,10條圖形襯底制備生產線及配套設施。項目于今年6月開工,預計2025年12月完工。
項目建成后與北京化工大學博士團隊合作,引進具有獨立產權的生產技術和設備,生產的2英寸、4英寸氮化鎵單晶襯底,廣泛應用于芯片制造、通訊基站、相控雷達等領域,建成后將實現全市第三代半導體材料的新突破。(集邦化合物半導體Morty整理)
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