4月9日，杭州鎵仁半導體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導體”）宣布正式推出2英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底，在(010)襯底的研發生產方面再創新高。
source：鎵仁半導體
據介紹，氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場強高、巴利加優值大等優點，使基于氧化鎵的功率器件具有更大的工作電流、電壓以及更小的導通電阻、器件尺寸和更高的轉換效率，主要用于制備功率器件、射頻器件及探測器件，在軌道交通、智能電網、新能源汽車、光伏發電、5G移動通信、國防軍工等領域具有廣闊應用前景。此外，與目前火熱的碳化硅相比，氧化鎵的大硅片相對容易制造，有利于降低生產成本并提高產量，市場潛力大。
鎵仁半導體指出，在氧化鎵單晶襯底常見的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現。首先，（010）襯底熱導率最高，有利于提升功率器件性能；第二，（010）襯底具有較快的外延生長速率；第三，基于（010）襯底制備的器件具有更優異的性能。
值得一提的是，此前，鎵仁半導體聯合浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室，采用自主開創的鑄造法于今年2月成功制備了高質量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。鎵仁半導體也借此成為了國內首個掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術的產業化公司。
如今鎵仁半導體再次推出新產品——2英寸晶圓級(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實現了2英寸(010)氧化鎵單晶襯底的自主量產，對國內氧化鎵相關產業擺脫國際壟斷起正面作用。（集邦化合物半導體Morty整理）
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