文章分類： 功率

12英寸氮化鎵，新輔助？

作者 | 發布日期: 2024 年 09 月 10 日 14:37 |
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第三代半導體材料氮化鎵，傳來新消息：日本半導體材料大廠信越化學為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。 2024年9月3日，信越化學宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開始供應樣品。 圖片來源：信越化學 從氮化鎵生產上看，盡管GaN...  [詳內文]

國內溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關鍵技術有新突破

作者 | 發布日期: 2024 年 09 月 02 日 17:21 |
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據南京發布近日消息，國家第三代半導體技術創新中心（南京）歷時4年自主研發，成功攻關溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據悉這是我國在這一領域的首次突破。 source:江寧發布 公開資料顯示，碳化硅是第三代半導體材料的主要代...  [詳內文]

碳化硅爭奪戰：光伏龍頭們已入局

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 29 日 17:29 |
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目前，碳化硅產業發展形勢喜人，跨界布局碳化硅業務的玩家眾多，包括長城汽車、吉利汽車等車企以及三安光電、博藍特等LED廠商，除車企和LED廠商外，部分光伏廠商已成為跨界布局碳化硅的重要力量。 光伏龍頭跨界布局碳化硅 據集邦化合物半導體觀察，通威集團、合盛硅業、弘元綠能、高測股份、捷...  [詳內文]

第四代半導體氧化鎵蓄勢待發

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 26 日 14:21 |
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新能源汽車大勢之下，以碳化硅為代表的第三代半導體發展風生水起。與此同時，第四代半導體也在蓄勢待發，其中，氧化鎵（Ga2O3）基于其性能與成本優勢，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導體材料。 鴻海入局氧化鎵 近期媒體報道，鴻海研究院半導體所與陽明交大電子所合作，雙方研究團隊在第四代...  [詳內文]

國內首套碳化硅晶錠激光剝離設備投產

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 23 日 18:10 |
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據新聞晨報報道，8月21日，從江蘇通用半導體有限公司（下文簡稱通用半導體）傳來消息，由該公司自主研發的國內首套的8英寸碳化硅晶錠激光全自動剝離設備正式交付碳化硅襯底生產領域頭部企業，并投入生產。 據了解，該設備可實現6英寸和8英寸碳化硅晶錠的全自動分片，將極大地提升我國碳化硅芯片...  [詳內文]

碳化硅、氮化鎵領域新增2起投資

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 21 日 17:51 |
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8月20日，中國臺灣新竹科學園公告了第18次園區審議會核準投資案（竹科）詳情。其中，環翔科技股份有限公司（下文簡稱“環翔科技”）、碳矽電子股份有限公司（下文簡稱“碳矽電子”）增資議案被批通過，二者分在氮化鎵（GaN）/碳化硅（SiC）領域有所布局。 公告顯示，環翔科技此次獲資金額...  [詳內文]

芯碁微裝國產碳化硅相關設備出口日本

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 20 日 17:50 |
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8月19日，國內半導體設備廠商芯碁微裝宣布，公司旗下MLF系列設備首次出口至日本。 芯碁微裝表示，公司MLF系列直寫光刻設備專為高精度、高效能的泛半導體封裝應用而設計，特別適用于功率半導體，如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的封裝工藝。該設備配備先進的設備前端模塊（EFEM），能夠...  [詳內文]

8英寸碳化硅，如火如荼

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 14 日 15:00 |
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近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動。功率半導體大廠英飛凌于8月8日宣布，已正式啟動位于馬來西亞新晶圓廠的第一階段，該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半導體晶圓廠，預計2025年開始量產。 碳化硅尺寸越大，單位芯片成本越低，故6英寸向...  [詳內文]

日本將新增一條SiC產線

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 05 日 18:10 |
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據日媒報道，8月1日，碳和石墨產品綜合制造商東海碳素（Tokai Carbon）擬投資54億日元（折合人民幣約為2.7億元）在日本神奈川縣茅崎市建立一條多晶SiC晶圓專線，并預計將于2024年12月完成建設。 東海炭素開發的用于功率半導體的SiC晶圓，被稱為“層壓SiC晶圓”。層...  [詳內文]