伴隨著碳化硅產業快速發展，項目與產能建設成為熱點話題之一。近日，國內又有兩個碳化硅材料相關項目披露了最新動態，分別是中晶芯源8英寸碳化硅單晶生長及襯底加工技術開發項目以及予秦半導體碳化硅晶錠項目。
國內2個碳化硅材料項目同時披露新進展
據“投資濟南”官微消息，10月17日，濟南市半導體、空天信息產業高價值技術成果本市轉化對接會在歷城區國家超級計算濟南中心舉辦。會上，中晶芯源8英寸碳化硅單晶生長及襯底加工技術開發項目與山東大學新一代半導體材料研究院舉行簽約。
據悉，中晶芯源是南砂晶圓全資子公司。今年6月22日，南砂晶圓北方基地——中晶芯源8英寸碳化硅項目正式投產。該項目計劃總投資15億元，達產年產能為30萬片。
在中晶芯源8英寸碳化硅項目投產當天，南砂晶圓、中晶芯源董事長王垚浩表示，碳化硅進入8英寸時代比預想的要早、要快，今后三年，南砂晶圓投資擴產的重心將放在濟南北方基地項目上，大幅提升8英寸碳化硅襯底產能。
在中晶芯源8英寸碳化硅項目新簽約的同時，予秦半導體碳化硅晶錠項目公示了環評文件。
根據環評文件，予秦半導體晶體材料研發及產業化項目總投資1.1億元，選址位于蕪湖高新技術產業開發區，項目占地面積約3000平方米，租賃廠房建筑面積2428.6平方米，建設碳化硅半導體晶體材料生產線，項目共投入30臺長晶設備，產能為840個晶錠/年。
據悉，予秦半導體碳化硅晶錠項目最早于2022年8月8日進行首次備案，原規劃建設碳化硅長晶爐總部及生產基地項目，組裝生產碳化硅長晶設備（環評豁免）；后于2024年4月1日變更備案并通過，建設晶體材料研發及產業化項目，并且于同年6月對備案中項目占地面積、租賃廠房建筑面積、建設周期等建設內容進行更正并通過備案。
國內碳化硅材料項目熱度居高不下
據集邦化合物半導體不完全統計，今年下半年以來，包括中晶芯源8英寸碳化硅項目和予秦半導體碳化硅晶錠項目在內，國內已有十多個碳化硅材料項目相繼披露了最新進展，顯示各大廠商正在持續加碼碳化硅材料細分賽道。
其中，廣東天域半導體總部和生產制造中心項目總投資80億，總占地面積約114.65畝，建筑面積約24萬平方米，建成后用于生產6英寸/8英寸碳化硅外延晶片，產能達150萬片/年。項目建設周期為2023年至2026年，未來預計年產值約100億元。
天科合達碳化硅襯底產業化基地建設二期項目用于擴大其碳化硅晶體與晶片產能，投產后將實現年產約37.1萬片導電型碳化硅襯底，其中6英寸導電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導電型碳化硅襯底13.5萬片。
投資額70億元的重慶三安8英寸碳化硅襯底廠在8月底已實現點亮通線，是三安光電為其與意法半導體合資的8英寸碳化硅器件廠配套建設的碳化硅襯底廠，年產能為8英寸碳化硅襯底48萬片。
從天科合達、天域半導體等碳化硅襯底、外延頭部廠商的新增項目來看，基本都是兼顧6/8英寸，符合產業發展現狀與趨勢。
目前，碳化硅產業仍然以6英寸為主，8英寸尚未大規模普及應用，廠商新增項目規劃一部分6英寸產能，能夠滿足當前的市場需求，但8英寸是趨勢，規劃8英寸產能能夠為未來的起量提前做好產線布局。
還有廠商新建項目規劃的是6/8英寸碳化硅襯底兼容的產線，初期量產6英寸襯底以搶占當前市場份額，一旦8英寸時代來臨，可在短時間內轉而量產8英寸產品，能夠快速響應產業需求。
除上述碳化硅襯底項目外，這些材料項目有一部分是襯底生產制造的原材料碳化硅粉體項目，包括中宜創芯、冠嵐新材料、北京世宇、利源硅業等廠商相關項目。
資料顯示，碳化硅粉體純度直接影響單晶的生長質量和電學性能，純度越高，單晶的生長質量和電學性能越優秀。
今年以來，國內各大碳化硅襯底廠商正在持續加碼產能建設，作為配套，已有一批碳化硅粉體項目在今年下半年落地實施，將有助于各大襯底廠商從原材料端推進項目順利實施。
當前，國內碳化硅相關企業在材料端、器件端、設備端都取得了一定進展，本土廠商在整個碳化硅產業鏈的存在感都將會越來越強。（文：集邦化合物半導體Zac）
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