據《重慶新聞聯播》報道,在西部(重慶)科學城,總投資約300億元的三安意法半導體項目進入收尾階段,其中,8英寸SiC襯底廠預計本月投產,比原計劃提前2個月。
據了解,三安意法半導體項目包含建設一座8英寸SiC晶圓(芯片)廠和配套的一座8英寸SiC襯底廠,預計總投資約300億元人民幣,將整合8英寸車規級SiC襯底、外延、芯片的研發與制造。
其中,晶圓廠由三安光電與意法半導體合資32億美元成立,雙方為此在重慶設立合資公司安意法半導體有限公司(注冊資本為6.12億美元),三安光電和意法半導體分別持股51%和49%。
日前,三安光電在半年報中披露,安意法生產設備將在今年Q3陸續進場安裝和調試,預計11月份將實現通線,通線后將逐步釋放產能,未來將主要生產8英寸SiC外延和芯片,銷售給意法半導體。合資公司規劃產能將于2028 年達產,達成后產能為8英寸車規級SiC MOSFET功率芯片48萬片/年,面向新能源汽車主驅逆變器、充電樁和車載充電器等應用。
作為配套,三安光電在重慶同步建設一座8英寸襯底廠,并為此設立了重慶三安半導體有限責任公司(湖南三安的全資子公司),注冊資本為18億元。該工廠預計總投資額為70億人民幣,占地276畝,達產后預計8英寸SiC襯底48萬片/年。據半年報披露,該襯底廠預計8月底將實現點亮通線。未來,重慶三安將匹配生產碳化硅襯底供應給安意法
值得一提的是,意法半導體正在推進旗下晶圓廠從6英寸向8英寸過渡,而湖南三安項目的加快建設將一定程度上助推意法半導體加速向8英寸轉型。
根據6月消息顯示,意法半導體計劃明年第三季度意大利卡塔尼亞的SiC晶圓廠將過渡到8英寸;新加坡的晶圓廠隨后也將過渡到8英寸;而在中國的合資工廠安意法則預計明年第四季度開始生產8英寸SiC晶圓。按照最新進度,8英寸晶圓廠預計年底通線后將逐步釋放產能,而8英寸襯底廠提前到本月底投產,表明湖南三安已提前做好準備,匹配后續安意法對襯底材料的需求。
市場需求方面,根據TrendForce集邦咨詢《2024 全球SiC Power Device市場分析報告》顯示,SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現加速滲透之勢,未來幾年整體市場需求將維持增長態勢。TrendForce集邦咨詢預測,2028年全球SiC功率器件市場規模有望達到91.7億美元。
未來,隨著兩座工廠產能的釋放以及下游需求的持續增長,湖南三安的SiC業務有望實現產銷兩旺,帶動三安光電整體業績進一步增長。就今年上半年來看,三安光電實現營業收入76.79億元,同比增長18.70%;歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.84億元,同比增長8.44%。其中,湖南三安實現營收5.12億元,凈利潤為299萬元。(集邦化合物半導體Jenny整理)
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