GaN市場雖不如SiC市場火熱，但今年以來行業內動作也不少，既反映了GaN市場格局處于調整期的事實，也透露出GaN廠商在各應用市場穩步前行的信號。目前，相關廠商依舊看好該技術的前景并積極挖掘其應用潛力。近期，在臺亞半導體公布了GaN功率半導體業務發展進度超前之后，GaN射頻（RF）應用領域也傳來了正向進展的消息。
韓國RFHIC投資GaN射頻外延廠商SweGaN
4月15日，歐洲碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）外延技術開發商SweGaN AB宣布獲得韓國GaN射頻及微波半導體廠商RFHIC Corporation（艾爾福）的投資（投資金額未披露），雙方就GaN-on-SiC外延解決方案的研發與產品開發等達成了戰略合作，未來將共同挖掘GaN射頻應用市場。
圖片來源：SweGaN
過去十年，SweGaN致力于GaN-on-SiC外延解決方案的開發，服務于5G通信基礎設施、國防雷達、衛星通信、車載OBC、數據中心等射頻、功率半導體市場。
RFHIC主要面向無線通信、國防航空航天以及工業、科學和醫療等領域開發射頻、微波半導體器件及混合模塊等產品，公司總部位于韓國，已在歐洲、美國、中國、日本等地設立了子公司或辦事處。目前，RFHIC正在積極推廣和應用GaN技術，開發4GHz超高頻段等產品。
圖片來源：RFHIC
本次合作順應了全球能源轉型期的發展趨勢，亦符合雙方各自的發展戰略需求。
對于SweGaN而言，借助RFHIC的資金、技術、資源等各方面的支持，其能加速推進GaN-on-SiC外延片的擴產進程，同時有望顯著提升在全球GaN市場的地位。
對于RFHIC而言，SweGaN的高性能6英寸GaN-on-SiC外延技術解決方案有助于其推動5G/6G、衛星通信等射頻GaN市場發展戰略的實施；另外，此舉也符合其GaN外延片供應商多元化的發展需求。
多國加注GaN射頻技術，長遠成長可見度高
GaN-on-SiC技術是射頻應用領域的理想解決方案，能夠滿足5G/6G通信基站、航天航空、衛星通信等對高效能源轉換、高頻率、高帶寬的需求，現已被列入多個國家的戰略發展方向之一，如韓國、英國、中國等。
其中，韓國早在2021年便確定了“X-band 氮化鎵（GaN）半導體集成電路”國產化課題，目的是培育國防產業原材料、零部件、裝備企業，而RFHIC正是該課題的牽頭企業。此外，不久之前，韓國電子通信研究院（ETRI）剛宣布將啟動射頻GaN晶圓代工業務，采用150nm GaN微波集成電路（MMIC）設計套件（PDK），據悉，該設計套件是根據科學與信息通信技術部”電信用化合物半導體研究代工廠”項目而開發。
英國方面也在積極打造相關自主供應鏈。今年2月消息顯示，英國擬通過一個名為ORanGaN的項目構建全新的自主供應鏈，專注于5G通信射頻GaN產品和設備的研發，制備基于GaN技術的單片微波集成電路芯片 (MMIC) 等5G通信組件，助力英國實現5G、商用射頻GaN器件的生產能力，最終幫助增強英國國內5G基礎設施和網絡韌性，推動經濟增長。目前，該項目也獲得了英國科學、創新和技術部 (DSIT) 的支持。
中國亦高度重視包括射頻GaN在內的第三代半導體產業，已將其納入國家科技創新重大專項、戰略性新興產業發展規劃等政策框架內，并給予資金支持、稅收優惠、科研項目傾斜等政策扶持。產業鏈正在逐步構建和完善中，其中，以英諾賽科、三安光電等為代表的本土IDM企業已呈現出了較強的競爭力，在GaN產業鏈實現了全覆蓋。在國內射頻應用已到了成熟階段這個背景下，相信國產GaN射頻產業也將蒸蒸日上。
總的來說，全球多國對發展射頻GaN技術的決心明確，近幾年來也可見到重視程度在不斷提升，這表明未來GaN在射頻應用市場有著比較高的成長可見度。（文：集邦化合物半導體Jenny）
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