據“江蘇姜堰”官微消息12月5日，據英飛凌工業半導體消息，英飛凌發布了全新一代氮化鎵產品CoolGaN? G3和CoolGaN? G5系列，采用英飛凌自主研發的高性能8英寸晶圓工藝制造，將氮化鎵的應用范圍擴大到40V至700V。
source：江蘇姜堰
其中，CoolGaN? G3系列覆蓋60V、80V、100V和120V電壓等級，以及40V雙向開關（BDS）器件，主要面向電機驅動、電信、數據中心、太陽能和消費應用；CoolGaN? G5系列基于GIT（Gate Injection Transistor，柵注入晶體管）技術推出新一代650V晶體管，以及基于G5的IPS驅動產品，適用于消費、數據中心、工業和太陽能領域的應用。
據悉，自2023年以來，英飛凌正在加速布局GaN業務。2023年5月，作為項目主導方，英飛凌宣布將參與一個由45家合作伙伴共同建設的歐洲聯合科研項目ALL2GaN，目的是開發從芯片到模塊的集成GaN功率設計，主要面向電信、數據中心和服務器等應用。
當年10月，英飛凌以8.3億美元完成收購GaN Systems。GaN Systems是全球前五大GaN功率器件廠商之一，收購GaN Systems后，英飛凌在一定程度上改變了GaN功率器件市場競爭格局。
而在今年9月12日，英飛凌宣布率先開發全球首項12英寸氮化鎵功率半導體技術。按照英飛凌的說法，這項技術能夠徹底改變行業的游戲規則，相較于8英寸晶圓，12英寸晶圓芯片生產不僅在技術上更先進，也因晶圓直徑擴大，每片晶圓上芯片數量增加了2.3倍，顯著提高了效率。
目前，英飛凌已在Villach廠利用現有12英寸硅生產設備的整合試產線，成功地生產出12英寸GaN晶圓。
當前，消費電子是功率GaN產業的主戰場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機等領域。而在汽車、AI數據中心、機器人等領域，氮化鎵也都有較大的應用潛力，并取得了一定的成果，前景光明。
根據TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN?Power?Device市場分析報告》顯示，隨著各大廠商對GaN技術傾注更多資源，功率GaN產業的發展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數據中心和電機驅動等場景為核心。（集邦化合物半導體Zac整理）
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