9月10日,據Soitec官網消息,由Soitec主導的歐洲研究和產業聯盟已經開始著手開發基于磷化銦(InP)的下一代高頻半導體。
source:Soitec
這項技術能夠滿足用于大型數據中心和AI的光子學,用于6G移動通信的射頻前端和集成天線,以及亞太赫茲雷達傳感等領域的應用。
據悉,磷化銦(InP)器件能夠在接近或超過1太赫茲(THz)的頻率下運行,與硅基器件相比,提供了更快的速度和更高的能效。
Soitec主導的歐洲研究和產業聯盟Move2THz由27個成員組成,旨在保障歐洲InP半導體的穩健供應和制造生態系統發展,并解決相關產品更廣泛應用的障礙,包括InP基先進襯底的成本和可用性。該項目為期三年,已經獲得了歐盟的資金支持,以及來自法國、瑞士、德國、瑞典、荷蘭和比利時政府的補充投資。
Soitec秘書長艾曼紐埃爾·貝利(Emmanuelle Bely)表示:“這個項目標志著在整合越來越強大、能效更高的半導體技術方面的一個重要里程碑。我們正在一起為基于磷化銦的創新鋪平道路,這將改變6G通信、光子學和人工智能等關鍵領域?!?/p>
公開資料顯示,Soitec于1992年成立于法國,主營半導體硅晶圓制造及銷售業務,是全球最大的優化半導體硅片襯底供應商。而硅片經過冶煉、鑄造及切割之后,Soitec使用其獨有的切割技術,在兩層氧化硅之間插入絕緣層形成絕緣硅(SOI)晶圓,從而制造成射頻前端芯片、功率器件、汽車芯片、傳感芯片等產品。
目前,除了光子學,Soitec的業務布局還包括RF-GaN、SmartSiC?、Power-GaN等化合物半導體材料,其在法國伯寧的新工廠已于2023年10月落成,該工廠投資額為3.8億歐元(約30億人民幣),占地面積2500平方米,2028年全部達成后可年產50萬片,其中80%為SmartSiC晶圓。
此外,Soitec布局了Smart Cut?、Smart Stacking?等技術,其中,Smart Cut?技術能夠精準切割碳化硅晶圓,提高碳化硅晶圓的良率和性能,并顯著增加產量。(集邦化合物半導體Zac整理)
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