據外媒報道，6月19日，韓國8英寸純晶圓代工廠SK Key Foundry（啟方半導體）宣布，公司已確認650伏氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的特性，正加大開發力度，預計年內完成開發。
因GaN具有高速開關和低電阻特性，它被稱為下一代功率半導體，比現有的硅（Si）基半導體具有更低的損耗、更高的效率和小型化。其主要應用于電源、混合動力和電動汽車、太陽能逆變器等。
SK Key Foundry計劃為現有的功率半導體用戶推廣650V GaN HEMT，同時發掘新客戶。此外，該公司還計劃增加一個GaN產品組合，為GaN HEMT和GaN IC提供各種電壓。
SK Key Foundry首席執行官Lee Dong-jae表示：“除了具有競爭力的高壓BCD之外，我們還在為下一代功率半導體做準備。未來，我們還將擴大功率半導體產品組合，除了GaN還有SiC，將自己打造成一家專業的功率半導體代工廠?！保罨衔锇雽wMorty編譯）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。